精品文档格式:DOCMOSFET breakdown and snapback modelling for ESD …热度:器件 snapback 现象(一)

评价方式介绍保护的基本概念常用的器件介绍保护网络介绍,触发电压,二次击穿电压,雪崩击穿,电流,高电压,低电流,导致大量空穴注入到基区,雪崩击穿不断注入空穴到基区,器件介绍,基本器件介绍,面积主导,在工艺中,要引入层次增强能力

一Nwell电阻r在饱和区域电压上升的速度比在线性区域的时候要快,当电场达到了碰撞电离阈值时,并且占据总电流一定份额时,电压就会下降,负阻或snapback时就会发生碰撞电离,也就是说2um即背景或衬底掺杂浓度,r现在,假设nwell方块电

空穴电流从可以忽略不计到足够大,并且占据总电流一定份额时,电压就会下降,负阻或snapback 特征就会呈现出来引起snapback的碰撞电离由NB来决定(即背景或掺杂浓度),它会影响引发电阻snapback的电压值

踢锋 snapback意为快速恢复,目前是很多帽子款式中的一种。 snapback是urban slang term for an adjustable,flat-brimmed baseb

本文首先分析具有两次‘'Snapback'’特性的新结构LSCR器件及其工作原理,然后借助仿真器进行仿真分析,并进行讨论,最后给出结论藩PNPNPN结构J二作原理与晶闸管的上作原理相类似

显示全部楼层你如果理解BJT的工作原理,就很容易明白snapback:从反偏二极管向NPN转换的一瞬间,极高阻变成低阻,这个过程就呈现出负阻特性,就是snapback。

空穴电流从可以忽略不计到足够大,并且占据总电流一定份额时,电压就会下降,负阻或snapback 特征就会呈现出来。引起snapback的碰撞电离由NB

modeling snapback and rise-time内容提示:器件 snapback 现象 (一)(一) Nwell 现阻 在现和就现生了

Snap-Back和Latch-up应该是CMOS寄生特性里面最经典的理论了,其实他两个是同一个东西,都是NMOS和PMOS的寄生三极管等效电路开启进入正反馈状态下的回路导通状态,叫做Snap-back是因为当寄生回路触发导通之后,会迅速进入低阻状态,所以I-V曲线迂回呈现负阻状态,所以叫做Snap-back(侧重工作区域)。所谓Latch-up就是当这个寄生旁路触发导通之后,基本上NMOS和PMOS就被这个寄生旁路短路了,栅极几乎就没有作用了,类似被锁住了,所以中文叫做栅锁效应或者栓锁效应,或者闩锁效应(Latch-up, LU)。所以,当电路外界有一个大的浪涌电压/电流,就会触发栅锁效应,只要电路